锗晶体三极管的饱和降压为_题库-百大学堂网校

当前位置：电气电子类 > 第二节半导体三极管 > 试题详情

题目：锗晶体三极管的饱和降压为

2019-01-20

A.0.1V B.0.3V C.0.5V D.0.7V

正确答案：A

试题解析：略

医学高考培训班

查看更多同类试题

上一题：下列关于晶体三极管的说法中，正确的是

下一题：管子3DG6是________三极管

相关试题

硅晶体三极管的饱和降压为

对于PNP型三极管，当Vbe>0,Vbe>Vce时，管子的工作状态是

三极管的各极对地电位如图2-2-1戽听示，则下列说法中正确的是

处于放大状态三极管工作时的电流如下：Ibi=10μA，ICI=0.56mA，Ib2=20μA,Ic2=1.14mA，则该三极管的β值为

某NPN型三极管的Vb=4.7V,Vc=4.3V,Ve=4V,则该三极管的工作状态是

在三极管的输出特性曲线中，当Ib=0时的Ic是

使三极管仁作在放大区的条件是

当晶体三极管截止时，其Ic值

对三极管放大作用的实质，下列说法中正确的是

NPN型三极管工作在放大状态时，其两个PN结的偏压为

推荐学校

湖北现代科技学校

武汉南华光电职业技术学校

武汉三新职业技术学校

湖北传媒摄影技师学院